壓(ya)力變(bian)送器根據感壓(ya)膜(mo)片(pian)的不同分為電(dian)容式(shi)(shi)、擴(kuo)散硅(gui)式(shi)(shi)、單晶(jing)硅(gui)式(shi)(shi)和陶(tao)瓷式(shi)(shi)，本文主要(yao)討論電(dian)容式(shi)(shi)和擴(kuo)散硅(gui)式(shi)(shi)。

     一、電容式壓力變送器

     原理：電容式壓(ya)力變送器(qi)有一(yi)個可變電容的傳感(gan)組件，該傳感(gan)器(qi)是(shi)一(yi)個*封閉(bi)的組件，過(guo)程壓(ya)力、差壓(ya)通過(guo)隔離(li)膜(mo)片和灌充硅油傳到傳感(gan)膜(mo)片引(yin)起位移，傳感(gan)膜(mo)片和兩電容極(ji)板之間的電容差由電子部件轉換成(cheng)4-20ma電流(liu)信號。

    簡單的(de)說(shuo)，壓(ya)力引起電容的(de)變化。

   其優點(dian)(dian)為(wei)：可以(yi)做(zuo)到極(ji)低壓(ya)力；抗過載能力強(qiang)；精度(du)高(gao)。缺點(dian)(dian)為(wei)：高(gao)壓(ya)測量(liang)缺乏優勢；傳感(gan)器(qi)封裝工藝要求高(gao)。

      二、擴散硅式壓力變送器

     擴散(san)硅式壓(ya)力變(bian)送器原理：被測介質(zhi)的壓(ya)力直接(jie)作用于傳感(gan)器的擴散(san)硅膜(mo)片(pian)上，使膜(mo)片(pian)產生與介質(zhi)壓(ya)力成(cheng)正(zheng)比的微小位移(yi)。在正(zheng)常狀態下，膜(mo)片(pian)大位移(yi)不大于0.025mm，電(dian)子線(xian)路檢(jian)測這一位移(yi)量(liang)后，即把這一位移(yi)量(liang)轉化成(cheng)4-20ma信(xin)號。

    簡單的(de)說(shuo)，壓力引起電阻的(de)變化。

    超壓時膜片直接貼到堅固(gu)的(de)擴散硅(gui)上，由于膜片和基體的(de)間隙只(zhi)有(you)0.1mm，因此過(guo)壓時膜片的(de)大位移也只(zhi)有(you)0.1mm，所以(yi)從結構(gou)上保證了(le)膜片不(bu)會產生(sheng)過(guo)大的(de)變形，該傳感器具有(you)很好的(de)穩定性和高精(jing)度。

   其(qi)優點是：穩定性高(gao)，每年優于0.1%FS；溫度(du)(du)偏移(yi)小(xiao)，由于取消(xiao)了測量元(yuan)件中的液體，因此傳感器(qi)能(neng)夠獲得(de)很高(gao)的精(jing)度(du)(du)；價格便宜。缺點是：低于0℃或高(gao)于85℃難(nan)以(yi)正常使用；不能承(cheng)受動態壓力；膜(mo)片易損壞；不適用20MPa以(yi)上的壓力。